光パワーメーターOptical-Power-Meters

光パワーメーターOptical-Power-Meters

光パワーメーターの用途

半導体レーザ素子はその発振波長(nm)と光出射出力(mW)によって区分されていますが、これら仕様は個体差があり且つ使用環境によって変化します。とりわけLEDでは半導体レーザよりもさらに大きな個体差があります。高い精度を要求されるシステム光源では各素子の光出力の確認・選別に光パワーメーターが必要となります。

またレーザ光源においてJIS等に規定される安全規定に準拠させて点灯するためには公的機関より校正証明を受けている光パワーメーターでの出力確認が必要不可欠となります。

据置型光パワーメーター OPM-100B

光システムの検査・校正用として

弊社の光パワーメーターは高速・低暗流で微弱な光まで測定できますので、ガルバノミラーやポリゴンミラーで反射されるスキャン光のパワーを瞬時に測定することが可能です。連続光、パルス変調光のピーク値・平均値ともに計測が可能となっています。

独自の受光部を採用

据置型光パワーメーター OPM-100B 半導体レーザの空間出射光はファイバー等のそれと異なりビームの状態が様々です。 拡散している光の出力測定は比較的容易ですが平行光や集光になるとビーム密度の高さから受光素子の性能をフルに発揮できず、出力測定の信頼性が低下する恐れがあります。
弊社の光パワーメーターでは受光部に密度を分散させる工夫を盛り込み、より高密度な光でも高い信頼性を保ち測定が行えます。

また、半導体レーザ光の出力測定で常に注意が必要なこととして戻り光現象があります。受光素子は比較的反射率が高く、この戻り光を発生させる可能性も高くなります。
弊社の光パワーメーターではこの戻り光にも対策が必要と考え、発光元に光を戻さないように工夫したオリジナルの受光部を採用しております。

据置型光パワーメーター OPM-100Bの主な仕様

測定波長 408~840nm
測定範囲 10nW~199.9mW
ピーク測定特性
ピーク値保持特性:
1MHzパルス光入力後1秒にて表示値 1/2
10μWレンジ - CW~10kHz
100μWレンジーCW~100kHz
1mWレンジ ー CW~1MHz
10mWレンジ - CW~1MHz
30mWレンジ - CW~1MHz
100mWレンジ - CW~1MHz
測定モード PEAKモード: 入力のピーク値を表示
AVGモード:入力の平均値を表示
サンプリング速度:2.5回/秒
測定精度 ±5%(780nm、1mW)
入力電源 AC100V±10% 50/60Hz
消費電力 約10VA
外形寸法(本体) 210Wx200Dx70H
外形寸法(受光部) φ30x28D
本体重量 980g

* 仕様及び外観は改良・機能向上のため予告無く変更する場合がありますので予めご了承ください。